Details zum 45nm Prozess von AMD

Das größte Problem stellt bis dato das Transistor Gate dar, welches für den Stromfluss im Transistor verantwortlich ist und mit abnehmender Strukturbreite auch immer kleiner werden muss. So ist es beim 45nm Prozess nötig das Gate auf etwa 20nm zu schrumpfen. Aktuell haben die neusten Prozessoren von AMD, mit einem 50nm Gate noch mehr als das doppelte dessen, was es zu erreichen gilt. Genau dies wollen die Forscher von AMD mit den neuen Transistoren erreicht haben. Mit einem 3 Gate Design, 1 Gate ist bisher üblich, und der Möglichkeit Gatelängen von unter 20nm herzustellen will man die Geschwindigkeit erhöhen und gleichzeitig die Leckströme verringern. Das ist ein entscheidender Punkt, zumal die Leckströme schon in heutigen Prozessoren Werte erreichen die denen der gewollten Stöme fast gleichkommen. Die Verwendung neuer sogenanter "low-k" Materialien soll die Leistung der Transistoren zusätzlich steigern. Hauptsächlich beteiligt an der Entwicklung ist die Fab30 in Dresden, welche später auch die Produktion übernehmen soll.