DDR2-Speicher in 100 nm-Fertigung

Samsung hat nach eigenen Angaben die anfänglichen Schwierigkeiten behoben und kann nun die Massenfertigung von DDR2-Speicher in 100 nm anlaufen lassen. Nach einer weiteren Qualitätssicherung mit den großen Kunden, möchte der Markführer erste Produkte bereits im zweiten Quartal ausliefern. Grund für die Verzögerung sei eine komplett optimierte Prozesstechnologie und die Umstellung auf neue Materialien. Diese bietet laut Samsung aber auch Vorteile. So soll die Verfeinerung der Strukturbreite auf 90, 80 und später 65 nm nicht mehr allzu aufwendig sein. Man könne bereits Erfahrungen mit den neuen Techniken gewinnen, die später von Nutzen seien.