Samsung 64 GBit NAND-Flash-Memory in 30-nm-Prozesstechnologie

Pressemitteilung von Samsung

Samsung präsentiert erstes 64 GBit NAND-Flash-Memory in 30-nm-Prozesstechnologie für High-Density Speicherkarten

Seoul, Korea, 23. Oktober 2007 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein führender Anbieter von modernster Halbleitertechnologie, gab heute die Entwicklung des weltweit ersten 64 GBit großen Multi-Level-Cell (MLC) NAND-Flash-Memory-Chips in 30-nm-Prozesstechnologie bekannt. Das neue Flash-Memory stellt einen bedeutenden Schritt in Richtung Flash-Lösungen mit höheren Speicherkapazitäten dar. Es bedient damit die explosionsartig steigende Nachfrage nach Flash-Produkten als Haupt-Speichermedium in Computer- und Digital-Anwendungen.

Maximal lassen sich 16 Flash-Memory-Chips mit jeweils 64 GBit zu einer 128 GByte großen Speicherkarte kombinieren, auf die 80 Filme mit DVD-Auflösung oder 32.000 Musikdateien im MP3-Format passen.

Das 64-GBit-NAND-Flash-Memory in 30-nm-Technologie kennzeichnet das achte Jahr in Folge, in dem die Speicherdichte verdoppelt werden konnte, und das siebte Jahr in Folge, in dem seit der Entwicklung des 100-nm-NAND mit 1GBit im Jahr 2001 die Halbleitergeometrien bei NAND-Flash-Produkten reduziert werden konnten.

Das neue Flash-Memory wurde mit Hilfe eines neuen Fertigungsprozesses mit der Bezeichnung SaDPT (Self-Aligned Double Patterning Technology) entwickelt. Beim SaDPT-Prozess werden zunächst gröbere Strukturen auf dem "Die" erzeugt und in einem weiteren Strukturierungsschritt freigehaltene Lücken mit feineren Funktionselementen gefüllt.

SaDPT repräsentiert einen entscheidenden Fortschritt gegenüber NAND-Flash in Charge-Trap-Flash-Technologie (CTF), die Samsung im vergangenen Jahr entwickelt und in Verbindung mit einem neuen Material (Silizium-Nitrid) und einer neuen Struktur für Flash-Memory vorgestellt hat. Bei der Realisierung von Schaltkreisen mit Strukturen unter 30 nm beseitigt SaDPT einen entscheidenden Engpass, indem die Rolle der herkömmlichen Lithografie-Technologie im Herstellungsprozess erweitert wird. Sowohl von Samsungs CTF-basierter NAND-Flash-Technologie wie auch vom SaDPT-Prozess erwartet man bei Nanometer-Designs der nächsten Generation Verbesserungen im Hinblick auf die Wirtschaftlichkeit.

Zur Produktion der neuen 30-nm-NAND-Flash-Memories, die Anfang 2009 im SaDPT-Prozess anlaufen soll, wird Samsung vorhandenes Fotolitografie-Equipment einsetzen. Durch den Einsatz von herkömmlichem Fotolitografie-Equipment kann Samsung sowohl den Prozess wesentlich beschleunigen wie auch die Wirtschaftlichkeit seiner Fertigungslinien ohne zusätzliche Investitionen verbessern. Samsung hat in Zusammenhang mit dem neuen 64-GBit-Flash-Memory 30 Patentanträge eingereicht.

Samsung hat außerdem ein 32 GBit großes Single-Level-Cell (SLC) NAND-Flash-Memory entwickelt, das auf der gleichen Technologie basiert wie das neue 64-GBit-Memory. Samsungs kontinuierlicher Erfolg bei der Vorstellung von NAND-Flash-Produkten mit ständig höheren Speicherkapazitäten wird die Nachfrage nach Halbleiterlaufwerken für Notebooks und andere Anwendungen wie Camcorder und Enterprise-Server weiter vorantreiben.

Samsung geht davon aus, dass die Produktion des neuen 64-GBit-Flash-Memories in 30-nm-Prozesstechnologie 2009 starten kann. Laut Gartner Dataquest kann der Umsatz mit NAND-Flash-Memories mit 64 GBit und höheren Kapazitäten in nur drei Jahren (2009 bis 2011) einen Wert von bis zu 20 Mrd. US-Dollar erreichen.