Samsung: 3D-V-NAND mit Tripple-Level-Cells geht in Serienfertigung

Bereits mit der Samsung SSD 850 Pro hat Samsung gezeigt, welches Potenzial in der 3D-V-NAND-Technologie steckt. Mit den neuen Tripple-Level-Cells werden erstmals auch Chips mit bis zu 128 Gigabit für Client-SSDs ermöglicht. Bislang setzte Samsung bei den 3D-V-NAND-Chips auf Zwei-Bit-Zellen.

Die neue Fertigung der Drei-Bit-Zellen (MLC oder TLC) bietet dabei die gleichen Vorteile wie der 3D-V-NAND-Speicher mit Zwei-Bit-Zellen. So werden auch die SSDs mit der neuen Serienfertigung wohl bis zu zehn Jahre Garantie besitzen und eine besonders hohe Schreib- und Leseleistung aufweisen können.

Die neuen TLC-3D-V-NAND-Chips sollen darüber hinaus auch wesentlich zuverlässiger arbeiten als herkömmliche TLC-Flashspeicher-Chips anderer Hersteller. Wann die ersten Chips mit den neuen Speicherzellen auf den Markt kommen werden, ist noch nicht bekannt.

(Bild: Bit-Error-Rate von 3D-V-NAND mit Drei-Bit-Speicherzellen)