Samsung SSD 850 Pro im Test
Samsung SSD 850 Pro mit 3D-VNAND-Technologie
In dem Bereich der Speicherlösungen mit NAND-Flash-Speicher ist Samsung
sicherlich als Marktführer anzusehen. Insbesondere die Mainstream SSD 840 Evo war bis zu Einführung der
Crucial MMX100 die beliebteste Einsteiger-SSD.
Schnell und günstig heißt hier die Devise. Preislich wird sie derzeit aber durch das extrem günstige Crucial Modell
unterboten. Insgesamt läuft der Kampf um den Kunden bei den preisgünstigen
SSDs derzeit auf Hochtouren.
Mit dem Launch der neuen 850 Serie startet Samsung in die nächste
SSD-Generation und führt gleichzeitig eine komplett neue Technologie ein. Mit
der 3D-VNAND-Technologie will man so seine Position im SSD-Markt noch weiter
stärken.
Die Samsung 850 Pro - das erste Modell aus der neuen 850 Reihe - richtet
sich wieder an leistungsorientierte Anwender und den professionellen Bereich
und stellt damit den Nachfolger der Samsung 840 Pro dar. Mit der
Samsung 850 Evo soll später auch wieder ein Mainsteam-Modellmit
3D-VNAD-Flash-Speicher folgen, das ganz explizit auf den Consumer-Markt
zugeschnitten ist.
Einer der größten Vorteile den Samsung bei der Produktion seiner SSDs
genießt ist, dass alle Komponenten von Samsung selbst hergestellt werden.
Dies gilt für den verbauten 3D-VNAND-Flashspeicher, den Controller und sogar den
LPDDR2-SDRAM-Cache. Dazu sind in der Form nur wenige andere Unternehmen in
der Lage. Unter anderem zum Beispiel Toshiba, die mit dem Zukauf von OCZ
auch einen eigenen Controller im Haus haben.
Als Controller dient bei der Samsung 850 Pro der 8-Kanal-Controller mit
der kurzen Bezeichnung Samsung MEX. Angetrieben wird er von
einem ARM-Prozessor mit drei Cortex-R4-Kernen die mit 400 MHz zu Werke
gehen. Der verbaute LPDDR2-SDRAM-Cache auf der SSD variiert je nach
Speicherplatzgröße der SSD. Die beiden von uns getesteten Modelle mit 256
und 512 GB Speicherplatz besitzen jeweils einen 512 Megabyte großen Cache.
Bei der Samsung 850 Pro kommt erstmals der selbstentwickelte
3D-Vertical-NAND-Flash-Speicher zum Einsatz. Bei dieser Technik werden die
Speicherzellen nicht nur nebeneinander angeordnet, sondern auch aufeinander
gestapelt, sodass Samsung trotz einer Strukturbreite von 40 Nanometern mehr
Kapazität auf einer Grundfläche bündeln kann, als bei der
Vorgängergeneration auf Basis der 20-nm-Strukturbreite. Durch die größere
Strukturbreite kann die Marge- und Yield-Rate (Ausbeute der Chips) besonders
hochgehalten werden auch, wenn sich dies bei der Samsung 850 Pro nicht
direkt auf den Preis auswirkt.
In einem kurzen interessanten Video erläutert Samsung wie die Technik des
3D-Vertical-NAND-Speichers funktioniert. Anders als bei den klassischen
Verfahren von NAND-Flashspeicher sind die 3D-VNAND-Zellen von Samsung
zylindrisch aufgebaut und werden in mehreren Lagen übereinandergestapelt,
wodurch sich die Speicherdichte pro Chip steigern lässt. Der Performance
kommt der 3D-VNAND-Flashspeicher ebenfalls zur Gute, da die Chips auf eine
größeren Strukturbreite basieren, was zu weniger Interferenzen zwischen den
einzelnen Zellen führt.
Darüber hinaus soll der 3D-VNAND-Flashspeicher noch andere positive
Eigenschaft besitzen, wie etwa eine wesentlich höhere Haltbarkeit und eine
geringe Leistungsaufnahme. Wie sich die beiden von uns getestet Modelle der
Samsung 850 Pro mit 256 und 512 Gigabyte Speicherplatz in unserem Benchmark
Parcours schlagen und in wieweit sich die Performance mit 3D-VNAND-Speicher
sich entwickelt hat, zeigen wir auf den folgenden Seiten.
Testplattform
- Testkandidat: Samsung SSD 850 Pro 256 und 512 GB
- Intel Core i7 4770K
- SATA III Controller des Z97 Chipset (ASRock Z97 Extreme6)
- OCZ Revodrive 350 (Systemplatte)
Betriebssystem & Benchmarks
- Windows 8.1
- HDTune Pro
- PCMark 7 und PCMark 8
- Passmark Advanced Disk Test
- ATTO
- AS SSD
- CrystalDiskMark
- Intel IO-Meter