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Samsung: Perfect RAM 30-mal schneller

Dienstag, 12. Sep. 2006 14:45 - [jp]

Samsung hat einen Prototypen seines "Phase-change Random Access Memory"-Moduls, kurz PRAM, hergestellt.

PRAM soll laut Samsung innerhalb von zehn Jahren NOR-Flash-Speicher ersetzen und ab 2008 auf den Markt kommen.

Die Technik des neuen Speichers soll die Vorteile von RAM und Flash-Speicher zu einem besonders schnellen und nichtflüchtigen Speicher vereinen. Samsung spricht bei PRAM deswegen auch gerne von "Perfect RAM".

Die hohe Geschwindigkeit kommt daher, dass Daten geschrieben werden können, ohne das zuvor gespeicherte Daten gelöscht werden müssen. Dadurch sei PRAM rund 30-mal schneller als normaler Flash-Speicher. Auch die Skalierbarkeit soll deutlich besser als bei jeder anderen Speicherart sein, an der zur Zeit geforscht wird.

Als Einsatzgebiet sieht Samsung vor allem Handys und andere mobile Endgeräte. Zum Preis hat die Firma noch nichts verlauten lassen.
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