HBM: Besonders schneller Stacked-RAM für kommende VGA-Generationen

SK Hynix ist mit seinen Arbeiten am sogenannten High Bandwidth Memory (HBM) offenbar ein gutes Stück weitergekommen. Derzeit hat das Team Speicher mit vier gestapelten 256-MB-Dies je Speicherchip realisiert, was in einer Kapazität von einem Gigabyte mündet. In naher Zukunft sollen Chips mit vier 1-GB-Dies folgen, so dass die Kapazität auf vier Gigabyte je Chip steigen würde. Die Bandbreite eines damit realisierten Speichermoduls mit HBM-Technik aus der ersten Generation soll eine Bandbreite von bis zu 128 GB/s aufweisen. Eine zukünftige Version mit vier bis acht Die-Lagen je Speicher-Chip soll die Modulbandbreite auf 256 GB/s steigern.

Zum Vergleich: GDDR5-RAM, wie er auf aktuellen High-End-Grafikkarten zum Einsatz kommt, erreicht etwa 30 GB/s.

SK Hynix bewirbt die HBM-Technik vor allem für den Einsatz auf Grafikkarten. Bereits in der Vergangenheit hatte das Unternehmen eine enge Zusammenarbeit mit AMD bestätigt, wobei unklar ist ob AMD die Technik zunächst bei APUs erproben wird oder ob diese bei den GPUs debütieren wird. Eine konkreten Zeitplan für "Stacked-RAM" nennt AMD nicht, laut der Gerüchteküche könnten erste HBM-Produkte aber bereits Ende 2014 gezeigt werden. Nvidia plant für da Jahr 2016 mit dem Einsatz von gestapelten RAM auf Grafikkarten in der Pascal-Generation.

Bei Stacked-RAM-Modulen weisen die einzelnen Speicherchips mehrere, gestapelte Dies auf. Diese werden durchbohrt und mittels einer Siliziumdurchkontaktierung miteinander verbunden. Durch diese Technik kann sowohl die Speicherdichte als auch die Leistung erhöht werden.

(Bild: Vermeintliche HBM-Folie mit Spezifikationen und Aufbau von SK Hynix)