Samsung plant erste ARM-Chips mit bis zu 3 GHz

Wie Samsung Foundry und ARM bekannt gaben, wird die Zusammenarbeit weiter fortgesetzt und ein strategisches Ziel für die sieben und fünf Nanometer-FinFET-Prozessortechnologien entwickelt um HPC-Lösungen (High-Performance-Computing) zusammen anbieten zu können. Bereits in der zweiten Jahreshälfte 2018 soll die 7LPP-Prozessortechnologie für die Erstproduktion zur Verfügung stehen. Mit der EUV-Lithografie-Prozesstechnik (Extreme Ultra Violet) steht dann die 5LPE-Technologie für die erste Jahreshälfte 2019 als potenzieller Nachfolger in den Startlöchern.

Mit der neuen ARM Artisan Phisical-IP-Plattform und dem Cortex-A76-Prozessor soll es dem Auftragsfertiger gelingen ARM-Chips mit einer Rechenleistung von mehr als 3,0 GHz zu produzieren.

Darüber hinaus hat die Samsung Foundry bereits die 7nm-EUV-Entwicklung über 3GAAE (3nm Gate-All-Around Early) Technologie angekündigt und damit einen Ausblick über die Zukunft der Halbleiterproduktion gegeben.

(Bild: Samsung Exynos-9-SoC auf ARM-Basis)