IBM und Micron: 3D-RAM soll 2012 Geschwindigkeitsrekorde brechen

Microns DRAM-Technologie auf Basis von 3D-Transistoren, vom Speicherhersteller pompös als "Hybrid Memory Cube" (HMC) betitelt, hat einen bedeutenden Mitstreiter gewonnen. Wie Micron und IBM bekannt gaben, arbeitet der IT-Riese ab sofort mit Micron zusammen und stellt unter anderem die Steuerelektronik für die 3D-Chips zur Verfügung. Der Vorteil von 3D-Transistoren ist die vertikale Verknüpfbarkeit, die weitaus komplexere Schaltungen erlaubt.

Im Ergebnis sollen die 3D-Chips mit Übertragungsraten von bis zu 128 GB/s zehn Mal so schnell Daten weiterreichen  wie herkömmlicher DRAM und benötigen dabei 70 Prozent weniger Energie und nur ein Zehntel des Platzes.

Besonders mit der Verbreitung von Mehrkernprozessoren, in denen jeder Core vom RAM mit Daten versorgt werden muss, hat sich die Speichergeschwindigkeit aktueller Systeme zunehmend als Flaschenhals herausgestellt.