AMD: Durchbruch in der Transistor Forschung

Pressemitteilung AMD erzielt Durchbruch bei der Transistor- und Speicherzellen Forschung Sunnyvale, 9. Dezember 2002. AMD (NYSE:AMD) wird heute auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) eine eihe neuer technischer Errungenschaften präsentieren, die für die Herstellung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation von Bedeutung sind. Damit stellt AMD eindrucksvoll eine Führung bei der Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie unter Beweis. Das IEDM findet vom 8. bis 11. Dezember in San Francisco statt. Erste Aspekte dieser Forschungen könnten sich frühestens 2005 in Produkten niederschlagen. „AMDs Forschungen auf dem Gebiet der Entwicklung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation ist bereits sehr weit fortgeschritten. Einmal perfektioniert, werden die Ergebnisse dieser Entwicklungsanstrengungen die Produkte unserer Kunden in nie zuvor erreichte Leistungsdimensionen befördern“, so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD. Den vollständigen Wortlaut der Pressemitteilung auf Englisch finden Sie bei http://www.amd.com/...