Samsung und Hynix präsentieren ersten DDR4-Prototypen

Im nächsten Jahr soll der neue DDR4-Arbeitsspeicher eingeführt werden. Vermutet wird, dass vorerst der Einsatz im Server-Bereich eingeführt wird, bevor der neue Speicher in die Haushalte gelangt. Bis Mitte 2015 soll der neue DDR4-Standard dann rund 50 Prozent des Marktes einnehmen.

Die Transferraten von DDR4 liegen bei 2.133 bis 4.266 MT/s dabei soll der Speicher 1,05 bis 1,2 Volt-Spannung benötigen. Der Stromverbrauch der neuen Speicher soll so um bis zu 40 Prozent verringert werden im Vergleich zum DDR3-Vorgänger. Eine Abwärtskompatibilität ist wie bei allen DDR-RAM-Standards nicht vorgesehen.

Der präsentierte DDR4-Speicher von Samsung erreichte eine Transferrate von 2.133 MT/s bei einer Spannung von 1,2 Volt. Der Samsung-Speicher wurde im 30-nm-Verfahren hergestellt. Der Speicher von Hynix erreichte 2.400 MT/s bei ebenfalls 1,2 Volt und wurde im 38-nm-Verfahren produziert.