DDR-RAM: 750 MHz und 512 MBit

Hynix Semiconductor (früher Hyundai) hat DDR-RAM mit 750 MHz vorgestellt. Es wird in 0,16µ gefertigt und läuft mit einem realen Takt von 375 MHz. Der neue Speicher ist vor allem für speicherintensive High-End Grafikkarten gedacht. Hynix wird die Massenproduktion im ersten Quartal 2002 starten, zur Zeit sind erste Samples verfügbar. Im nächsten Jahr wird Winbond mit der Produktion von 512 MBit Speicherbausteinen beginnen, sie sollen ab dem zweiten Quartal verfügbar sein. Durch die 0,13µ Fertigung kann man zum einen größere und zum anderen schnellere Module bauen.