Samsung zeigt funktionsfähigen DDR3-Prototyp

Pressemitteilung

Samsung Electronics produziert den weltweit ersten funktionsfähigen Prototyp der nächsten Speichergeneration - DDR3

17. Februar 2005 - Samsung Electronics, Marktführer bei modernsten Halbleiter-Speichertechnologien, hat jetzt das weltweit erste DDR3 DRAM (Dynamic Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 512 MBit produziert. Das neue DDR3 DRAM ermöglicht eine außergewöhnlich hohe Datenübertragungsrate von 1.066 MBit/s (dies entspricht der Datenmenge von 8.000 Zeitungsseiten pro Sekunde), und es soll planmäßig zum Jahresbeginn 2006 auf den Markt kommen. DDR3 (Double Data Rate) wird der neue Standard für die nächste Generation ultraschneller Speicherchips mit geringer Verlustleistungsaufnahme, die in Notebooks, Desktop-PCs und Servern zum Einsatz kommen.

„Mit den DDR3 Speicherchips haben wir ein weiteres Mal bewiesen, dass wir in der Lage sind, mit fortschrittlichster Technologie auf Marktanforderungen in kürzester Zeit zu reagieren,“ so Werner Diesing, Vice President, Memory und TFT-LCD Marketing, Samsung Semiconductor Europe.

Samsungs DDR3-Prototyp ist der erste Speicherchip, der mit einer Spannung von lediglich 1,5 V arbeitet, und erhöht schon damit in einer zunehmend mobileren Welt die Laufzeit der Batterie. DDR3-Speicher arbeiten doppelt so schnell wie DDR2-Speicherchips und viermal so schnell wie herkömmliche DDR-Speicher. Sie bilden damit die Grundlage für die Datenverarbeitung im Gigabit-Bereich. Darüber hinaus profitieren die neuen DDR3-Speicher von den Vorteilen einer hochentwickelten 80-nm-Fertigungstechnologie, und sie enthalten neue Funktionen wie Self-Driver-Kalibration und Daten-Synchronisation, die Übertragungsgeschwindigkeiten in bisher nicht möglicher Höhe ermöglichen.