SK Hynix kündigt ersten NAND-Flashspeicher mit mehr als 300 Layern an

Der von SK Hynix präsentiert 1 Terabyte große NAND-Flashspeicher der TLC-4D-Technologie ist der erste NAND-Flashspeicher, welcher mit 312-Layern produziert wurde und damit die bisherige Layer-Grenze von 300 überschritten hat.

Im Vergleich zu den bisherigen Chips von SK Hynix, welche auf dem 512Gb mit 238-Layer-Design basieren, soll die Erhöhung der Speicherschichten viele positive Effekte mit sich bringen, wie etwa eine 59 Prozent höhere Effektivität der Speicherfläche auf einem einzigen Wafer.

Konkrete Informationen zu der möglichen Speichergröße machte SK Hynix bei der Ankündigung der neuen Technologie noch nicht. Ebenfalls ist unklar, welche Geschwindigkeiten die neuen NAND-Flashspeicher mit 312-Layern erreichen können oder wann genau sie produziert werden können.

Bislang geht SK Hynix davon aus, dass die erste Massenfertigung von NAND-Flashspeicher mit 312-Layern nicht vor 2025 beginnen wird, sodass erste Module mit dem neuen Speicher noch länger auf sich warten lassen werden.

Erst kürzlich hat SK Hynix die Produktion der ersten 238-Layer-4D-NAND-Speicherchips angekündigt. Bei der 4D-Technologie von SK Hynix handelt es sich allerdings bislang noch weiterhin um 3D-NAND-Flashspeicher, welcher als TLC-Variante bis zu drei Bits pro Zelle Speichern kann.