AMD Carrizo: Angeblich mit Stacked-DRAM?

Die kommende APU-Generation von AMD mit dem Namen Carrizo soll im 28-nm-Verfahren produziert werden und mit einem besonders schnellen Stacked-DRAM ausgerüstet werden.

Die von AMD und SK Hynix entwickelte HBM High-Bandwith Memory (HBM) oder auch Stacked-DRAM genannte Technologie soll das erste Mal in der Carrizo-APU-Generation zum Einsatz kommen. Wann die Carizzo-APUs auf den Markt kommen wird, wurde aber noch nicht mitgeteilt.

Der Stacked-DRAM soll dabei als eine Art von Level-3-Cache fungieren, welcher direkt auf dem Prozessor neben dem Die der CPU auf dem Package angebracht ist. Die Carizza-APUs werden auf der Excavator-Architektur basieren, welche immer noch im 28-nm-Verfahren hergestellt werden. Der verbaute Stacked-DRAM wird hingegen bereits im 20-nm-Verfahren hergestellt. Im direkten Vergleich zu der Kaveri-Generation soll der Die trotz Stacked-DRAM bei den Carrizo-APUs erneut kleiner ausfallen.

(Bild: Die-Shot einer Kaveri-APU)