Toshiba und Western Digital: Fab 6 und Forschungslabor eröffnet

Die Toshiba Memory Corporation und die Western Digital Corporation haben die Eröffnung einer "hochmodernen Halbleiterfertigungsanlage" in Yokkaichi in der japanischen Präfektur Mie bekannt gegeben. Der Baubeginn der Fab 6 erfolgte im Februar 2017. In der neuen Fertigungsanlage wird ausschließlich 3D-Flash-Speicher gefertigt. Für zentrale Produktionsprozesse wie das Abscheiden und Ätzen haben Toshiba Memory und Western Digital in Yokkaichi zudem in weitere Produktionsanlagen investiert. Die Massenproduktion von 96-Layer-3D-Flash-Speicher wurde Anfang dieses Monats in Gang gesetzt.

Die Nachfrage nach 3D-Flash-Speicher für Server und Rechenzentren in Unternehmen, aber auch für Smartphones steigt stetig und wird in den kommenden Jahren weiter zunehmen. Weitere Investitionen in den Ausbau der Produktion werden entsprechend der Marktentwicklung getätigt.
Pressemitteilung

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An die Fab 6 angeschlossen ist ein Forschungs- und Entwicklungszentrum für Flash-Speicher, das im März dieses Jahres den Betrieb aufgenommen hat. Dort wollen die Unternehmen die Entwicklung von 3D-Flash vorantreiben.

Wir freuen uns über die Möglichkeit, im Markt für 3D-Flash-Speicher mit Produkten der neuesten Generation unsere Position als führender Anbieter zu festigen. Fab 6 und das Forschungs- und Entwicklungszentrum leisten hierzu einen wesentlichen Beitrag. Wir sind zuversichtlich, dass unser Joint Venture mit Western Digital auch künftig überragende Speicherlösungen in Yokkaichi herstellen wird.

Dr. Yasuo Naruke, President und CEO von Toshiba Memory

Wir freuen uns darüber, Fab 6 und das Forschungs- und Entwicklungszentrum für Flash-Speicher zusammen mit unserem geschätzten Partner Toshiba Memory in Betrieb nehmen zu können. Seit fast zwei Jahrzehnten fördert die erfolgreiche Zusammenarbeit zwischen unseren Unternehmen Wachstum und Innovationen im Bereich der NAND-Flash-Technologie.

Steve Milligan, Chief Executive Officer, Western Digital.

(Cleaning Room in der Fab 6)