TSMC entwickelt derzeit neben Verbesserungen für die 5-nm-Technologie auch kleinere Fertigungsgrößen wie die 4-nm, 3-nm- und 2-nm-Technik.
Nach Angaben des taiwanischen Branchendienstes DigiTimes will das Unternehmen die 3-nm-Technologie bereits verbessert haben, welche als 3-nm-Plus bezeichnet wird. Die Produktion erster Halbleiterchips in der 3-nm-Plus-Fertigung könnten im Jahr 2023 produziert werden. Mit höheren Frequenzen und kleineren Strukturen soll sich die Leistung der Halbleiterchips im Vergleich zu den aktuellen 5-nm-Chips noch einmal um bis zu 70 Prozent steigern, bei gleichzeitig 30 Prozent geringerem Stromverbrauch. In wieweit sich die 3-nm-Plus-Fertigung von der 3-nm-Fertigung unterscheiden wird, kann noch nicht beantwortet werden.
TSMC wird wohl auch bei der 3-nm-Technologie auf die FinFET-Fertigung zurückgreifen. Der Konkurrent Samsung hat bereits angekündigt bei der 3-nm-Technologie auf die GAA-Fertigung (Gate-All-Around) zurückzugreifen.
