Micron startet mit der 3D-NAND-RG-Architektur in diesem Quartal

Im Rahmen der Finanzergebnisse für das zweite Quartal hat Micron einige Details zu der kommenden 3D-NAND-Fertigung mit RG-Architektur verraten.

Die RG-Architektur mit "Replacement Gate" stellt die vierte Generation der 3D-NAND-Chips von Micron dar. Geplant ist die Produktion der Speicher noch in diesem Quartal zu beginnen, um die ersten Speicher im vierten Quartal 2020 anbieten zu können.

Der geplante Speicher soll 128 aktive Schichten (Layer) besitzen und mit der RG-Architektur die traditionellen Speicher mit Floating-Gate-Technologie ersetzen, welche seit Jahren von Intel und Micron für 3D-NAND-Speicher verwendet werden.

Durch die RG-Architektur sollen größere Chips zu geringeren Kosten produziert werden können. Der Übergang zu 3D-NAND mit RG-Technologie dürfte sich allerdings etwas langwieriger gestalten, weshalb zum Start der Produktion noch mit keinen größeren Margen oder Gewinnen zu rechnen sind.